Бахтизин Рауф Загидович - Профессор Физики, Глава Отдела Физической Электроники.
E-mail: raouf@bsu.bashedu.ru
Образование: бакалавр, магистр - физики, Ленинградский Государственный Университет, факультет физики, Ленинград (ныне Санкт-Питербург), Россия 1967; доктор - Физики полупроводников, Физический Институт, Ленинградский Государственный Университет, Ленинград (ныне Санкт-Питербург), Россия 1972; Доктор Наук (физика и математика) - Физическая Электроника, Свердловский Технический Университет (ныне Екатеринбург), Россия 1989
Профессиональный опыт:
Старший лектор - 1972
Доцент - 1976
Глава Отдела Физической Электроники - 1980
Профессор физики - 1990 - по настоящее время.
Посещение различных университетов в Германии, Швеции , Китае и Японии.
Награды: Государственная Премия Российской Федерации по Науке (1992),
Профессора Сороса (1997, 1998).
Членство: Российское Физическое Общество, Американское Физическое Общество, Нью-Йоркская Академия Наук.
Товарищество: Российский Институт Электроники, Редколлегия "Журнала Микромеханики и Микроэнжинерии"; Steering Committee of the International Vacuum Electron Sources.
Представлен в списке "Marcus" Who's Who in the World в Интернете.
Научные работы: свыше 150 статей в упомянутых журналах, 2 книги и 20 изобретений.
Темы Научной Деятельности: Наука о поверхности, СТМ, Field Emission, Вакуумная микроэлектроника, Field Electron Emission Spectroscopy, Field Emission Noise.
Список избранных публикаций последних трех лет:

1. R.Z. Bakhtizin, Ch. Park, T. Hashizume and T. Sakurai. "Scanning tunneling microscopy study of the 3ґ1 reconstruction induced by Li adsorption on the Si(111) surface". Appl. Surf. Sci. 1995. V. 87/88. P. 347-352.
2. R.Z. Bakhtizin, Ch. Park, T. Hashizume and T. Sakurai. "Investigation of the atomic structure of Si(100) surface covered by submonolayer Bi film". JETP. 1995. V. 108. No. 3(9). P. 977-989 (in Russian).
3. R.Z. Bakhtizin, J. Kishimoto, T. Hashizume and T. Sakurai. "STM observation of ordered structures on the Si(100)-2ґ1-Sr surface". Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1995. V. 12. P. 63-70.
4. R.Z. Bakhtizin, J. Kishimoto, T. Hashizume and T. Sakurai. "STM study of Sr adsorption on Si(100) surface". Appl. Surf. Sci. 1996. V. 94/95. P. 478-484.
5. R.Z. Bakhtizin, J. Kishimoto, T. Hashizume and T. Sakurai. "Scanning tunneling of Sr adsorption on the Si(100)-2ґ1 surface". Journal of Vac. Sci. and Technol. B. 1996. V. 14(2). P. 1000-1004.
6. R.Z. Bakhtizin, R.N. Amirkhanov and S.S. Ghots. "Autocorrelation function of 1/f current fluctuations in vacuum microelectronics devices". Journal of Vac. Sci. and Technol. B. 1996. V. 14(3). P. 2135-2137.
7. R.Z. Bakhtizin, T. Hashizume, X.-D. Wang and T. Sakurai."Scanning tunneling microscopy of fullerenes on metal and semiconductor surfaces" Physics-Uspekhi (Uspekhi Fizicheskhikh Nauk) 1997. V. 167. No. 3. P. 289-307. (in Russian).
8. R.Z. Bakhtizin, Ch. Park, T. Hashizume and T. Sakurai. "Scanning tunneling microscopy study of Li adsorption on the Si(111) surface". Physics of Low-Dimensional Structures (PLDS). 1997. V. 3/4. P. 39-48.
9. R.Z. Bakhtizin, Qikun Xue, T. Hashizume and T. Sakurai. "Atomic structures of gallium-rich GaAs(001)-4ґ2 and GaAs(001)-4ґ6 surfaces". JETP. 1997. V. 111. No. 5. P. 1858-1868 (in Russian).
10. R.Z. Bakhtizin, Qikun Xue, T. Hashizume and T. Sakurai. "Atomic structures on a GaAs(001) surface grown by molecular beam epitaxy". Physics-Uspekhi (Uspekhi Fizicheskhikh Nauk) 1997. V. 167. No. 11. P. 1227-1241. (in Russian).

Валеев Валерий Галимзянович
E-mail: ValeyevVG@bsu.bashedu.ru
Теоретические исследования. Отдел общей физики.
Associate Professor of Physics.
M.A. in physics from Moscow Physico - Engineering Institute (1980) and Ph. D. in theoretical physics from P. N. Lebedev Physical Institute (1984) (Kinetic Theory of Nonequilibrium Processes in Superconductors). A postdoctoral Fellow at Leipzig University (1989-1990) (Theory of Tunneling in the Representation of Scattering States).
Now working on the theory of quantum transport phenomena in microstructures.
Основные публикации последних лет:

V. G. Valeyev. Dynamic admittance of a tunnel junction. Материалы Всероссийского совещания "Зондовая Микроскопия - 98", Нижний Новгород, 2 - 5 марта 1998 г., стр. 201 - 203.
A. J. Barrios, V. G. Valeyev, C. M. Van Vliet, M. J. Hagmann. Analysis of photofield emission and laser- assisted scanning tunneling microscopy using a many electron approach based on the representation of scattering states. 25-th Annyal Symposium on Applied Vacuum Science and Technology. February 17-19, 1997. Orlando, Florida, USA.Abstracts, P-Th-27.
V. G. Valeyev. Tunneling in the representation of scattering states. Surface Science, vol. 266, 274-281 (1992).
В. Г. Валеев, Г. Ф. Жарков, Ю. А. Кухаренко. Кинетическая теория неравновесных процессов в сверхпроводниках. Труды ФИ АН СССР, том 174, стр. 155- 214 (1986).

Галлямов Рустам Радисович

Рабочий инструмент: UHV STM

Контактное лицо: Бахтизин Рауф Загидович
E-mail: raouf@bsu.bashedu.ru
Fax: +7 3472 503 085

Адрес: 450074, Отдел Физической Электроники, Башкирский государственный университет, ул. Фрунзе 32, Уфа, Россия.