Институт Аналитического приборостроения РАН

Голубок Александр Олегович

golub@ianin.spb.su
Булаенко У.В.
Курочкин Д.В.
Манойлов В.В.
Сапожников И.Д.

Рабочие инструменты: СТМ`мы собственного производства.

Тел.: (812) 251-7210
Тел.: (812) 251-2605
Факс: (812) 251-7038

Адрес: 198103, Санкт-Петербург, Рижский проспект 26.

Основные публикации:

  1. М.П.Петров, М.В.Красинькова, В.И.Березкин, А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, С.Я.Типисев, Туннельная электронная спектроскопия сверхпроводящей керамики YBaCuO, Письма в ЖТФ, т. 14, № 10, с.942-946 (1988).
  2. А.0.Голубок, Д.Н. Давыдов, С.Я.Типисев, Осцилляции проводимости туннельных контактов металл-диэлектрик-сверхпроводник YBaCuO, Письма в ЖТФ, т.14, № 24, с.2233-2236 (1988).
  3. С.А.Виноградова, А.0.Голубок, Д.Н.Давыдов, Автоматизированная установка для получения калиброванных спектров неупругого туннелирования электронов. Сборник Научное приборостроение. Выпуск Автоматизация научных исследований, Ленинград "Наука", с.3-11 (1988).
  4. А.О.Голубок, Н.А.Тарасов, С.Я.Типисев, Д.Н.Давыдов, М.Л.Фельштын, С.А.Масалов, Д.В.Нахабцев, В.А.Тимофеев, В.В.Розанов, А.С.Певзнер, В. Д. Беленков, Н. В. Анненкова, Отчет о научно-исследовательской работе "Исследование методических и инструментальных принципов построения вакуумного туннельного электронного микроскопа" (1988), 150-НИР-И, № гос. регистрации 01860134855, № инвентарный 02880076244.
  5. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Сканирующий туннельный микроскоп при атмосферном давлении. Сборник Научное приборостроение. Выпуск Электронно-ионная оптика. Ленинград "Наука" с.72-76 (1989)
  6. А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, С.А.Масалов, Д.В.Нахабцев, В.А.Тимофеев. Наблюдение поверхности графита при атмосферном давлении. Поверхность, №3,с.146-149(1989).
  7. А.О.Голубок, Д.Н.Давыдов, Д.В.Нахабцев, Аппаратные и программные средства сканирующего туннельного микроскопа, Сборник Научное приборостроение, Выпуск Электронно-ионная оптика, Ленинград "Наука", с. 77-84 (1989).
  8. Л. Н. Галль, А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Способ регулирования зазора между двумя поверхностями проводящих электродов" №1499321 от 8 апреля 1989г.
  9. С. М. Войтенко, А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Туннельный микроскоп" №1520609 от 8 июля 1989г.
  10. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Пьезоэлектрическое устройство перемещения №1541741 от 8 октября 1989г.
  11. С. А. Виноградова, А. О. Голубок, О. В. Коломыткин, С. Я. Типисев. СТМ исследование молекул грамицидина А, встроенных в пленку Лэнгмюра-Блоджетг. Письма в ЖЭТФ, т. 51, вып. 10, с. 513-515 (1990).
  12. М. В. Иванов, С. А. Виноградова, А. О. Голубок. Получение СТМ-изображения в режиме постоянного туннельного расстояния, Препринт № 36, НТО АН СССР, Ленинград (1990).
  13. А. О. Голубок, Н. А. Тарасов, О влиянии геометрических неоднородностей поверхности на измерение локальной работы выхода методом СТМ, Письма в ЖТФ, т. 16, вып. 11, с. 41-45 (1990).
  14. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Пьезоэлектрическое устройство позиционирования объекта" №1574138 от 22 февраля 1990г.
  15. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, Е. П. Мусихина, В. И. Кайданов, С. А. Пыков. Локальная туннельная спектроскопия теллурида свинца в сканирующем туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ, т. 17, вып. 2, с. 36-40 (1991).
  16. С. А. Виноградова, . О. Голубок, О. В. Коломыткин, С. Я. Типисев. Исследование пленок Ленгмюра-Блоджетт в сканирующем туннельном микроскопе при атмосферном давлении. Письма в ЖТФ, т. 17, вып. 3, с. 85-88 (1991).
  17. O. V. Kolomytkin, A. O. Golubok, D. N. Davydov, V. A. Timofeev, S. A. Vinogradova, S. Ya. Tipisev. Ionic channels in Langmuir-Blodgett films imaged by a scanning tunneling microscope. Biophysical Journal, v. 59 (4), p. 889-893 (1991).
  18. М. В. Иванов, С. А. Виноградова, А. О. Голубок, Получение СТМ-изображения в режиме постоянного туннельного расстояния. Научное приборостроение, №1, 52-58 (1991).
  19. С. А. Виноградова, А. О. Голубок, Н. А. Тарасов, В. А. Тимофеев, О возможности использования шумов СТМ-изображения при исследовании поверхностных неоднородностей. Научное приборостроение, № 3, с. 3-8 (1991).
  20. С. В. Гастев, А. С. Грохольский, А. 0. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев и С. Я. Типисев. Авторское свидетельство "Сканирующий туннельный микроскоп", №1705915 от 15 сентября 1991г.
  21. А. О. Голубок, Д. Н. Давыдов, В. А. Тимофеев, С. Я. Типисев, Авторское свидетельство "Туннельный микроскоп" №1721662 от 22 ноября 1991г.
  22. A. O. Golubok, S. A. Masalov and N. A. Tarasov, Thermofield tip formation in UHV/STM combined with field-emission microscope, Ultramicroscopy, 42-44, P. 1574-1579 (1992).
  23. A. O. Golubok and V. A. Timofeev, STM combined with SEM without SEM capability limitations, Ultramicroscopy, 42-44, P. 1558-1563 (1992).
  24. A. O. Golubok, S. A. Vinogradova, S. Ya. Tipissev, A. Y. Borisov, A. S. Taisova, O. V. Kolomytkin, STM/STS study of photosynthetic bacterial membrane. Ultramicroscopy, 42-44, P. 1228-1235 (1992).
  25. D. N. Davydov, A. O. Golubok and S. A. Rykov, Local tunneling spectroscopy ofn-PhTe surface, Ultramicroscopy, 42-44, P. 878-883 (1992).
  26. А. О. Голубок, В. А. Тимофеев, В. Ю. Аристов, С. Г. Гелахова, Сверхвысоковакуумный СТМ, совмещенный с электронным спектрометром ESCALAB-5, Научное приборостроение т. 2, № 1, с. 74-84 (1992).
  27. A. O. Golubok, S. A. Vinogradova, S. Ya. Tipissev, Algorithms of Measuring, Processing and Interpretation of Data Obtained with Scanning Tunneling Microscope, Computers in Physics, v. 6 (4), p. 327 (1992).
  28. N. N. Ledentsov, G. M. Gur'yanov, G. E. Tsyrlin, V. N. Petrov, Yu. B. Samsoncnko, A. O. Golubok, and S. Ya. Tipisev, Effect of heat -treatment conditions on the surface morphology of gallium arsenide grown on vicinal GaAs (100) substrates by molecular- beam epitaxy. Semiconductors, v. 28 (5), p. 526-527 (1994).
  29. А. О. Голубок, Г. М. Гурьянов, Н. Н. Леденцов, В. Н. Петров, Ю. Б. Самсоненко, С. Я. Типисев, Г. Э. Цырлин, Фомирование массивов фасеток на вицинальных поверхностях GaAs (lOO) при молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, т. 28, вып. 3, с. 515-518 (1994).
  30. Н. Н. Леденцов, Г. М. Гурьянов, Г. Э. Цырдин, В. Н. Петров, Ю. Б. Самсоненко, А. О. Голубок, С. Я. Типисев, Влияние условий термической обработки на морфологию поверхности арсенида галлия, выращенного на вицинальных подложках GaAs (lOO) методом молекулярно-пучковой эпитаксии, ФТП, т. 28, вып. 5, с. 904-907 (1994).
  31. Г. М. Гурьянов, Г. Э. Цырдин, В. Н. Петров, Ю. Б. Самсоненко, В. Б. Губанов, Н. К. Поляков, А. О. Голубок, С. Я. Типисев, Н. Н. Леденцов. Самоорганизация квантоворазмерных напряженных InGaAs структур на разориентированных поверхностях GaAs (lOO) при субмонослойной молекулярно-пучковой эпитаксии. ФТП, т. 29, вып. 9, с. 1642-1648 (1995).
  32. G. M. Guryanov, G. E. Cirlin, V. N. Petrov, N. K. Polyakov, A. O. Golubok, S. Ya. Tipissev, E. P. Musikhina, V. B. Gubanov, Yu. B. Samsonenko, N. N. Ledentsov, Formation of InGaAs/GaAs quantum dots by submonolayer molecular beam epitaxy. Surface Science, v.331-333, p.414-418 (1995).
  33. G.E.Cirlin, G.M.Guryanov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, N.N.Ledentsov, P.S.Kop'ev, M.Grundmann, D.Bimberg, Ordering phenomena in laAs strained layer morphological transformation on GaAs(lOO) surface, Appl.Phys.Lett., v.67, p.97-99 (1995).
  34. Г.Э.Цырлин, А.О.Голубок, С.Я.Типисев, Н.Н.Леденцов, Г.М.Гурьянов. Квантовые точки InAs/GaAs, полученные методом субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. ФТП, т.29, вып. 9, с. 1697-1701 (1995).
  35. G.M.Guryanov, G.E.Cirlin, V.N.Petrov, N.K.Polyakov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipisev, V.B.Gubanov, Yu.B.Samsonenko, N.N.Ledentsov, V.A.Shchukin, M.Grundmann, D.Bimberg, Zh.I.Alferov. STM and RHEED study of InAs/GaAs quantum dots obtained by submonolayer molecular beam epitaxial techniques. Surface Science, v.352-354, p.651-655 (1996).
  36. G.M.Guryanov, G.E.Cirlin, A.O.Golubok, S.Ya.Tipisev, N.N.Ledentsov, V.A.Shchukin, M.Grundmann, D.Bimberg, Zh.I.Alferov, An intermediate (1.0-1.5 monolayers) stage of hcteroepitaxial growth of InAs (100) during submonolayer molecular beam epitaxy. Surface Science, v. 352-354, p. 646-650 (1996).
  37. С. Я. Типисев, Н. Б. Пономарева, О. А. Голубок, В. В. Малев, В. В. Кондратьев. СТМ - визуализация поверхности электрохимически осажденных пленок берлинской лазури. Электрохимия, т. 34, №1, с. 90-96 (1998).
  38. S. Ya. Tipissev and A. O. Golubok. Nanostep movement and measurement, Tribology International v. 29 (5), p. 373-376 (1996).
  39. Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Н. К. Поляков, С. Я. Типисев, А. О. Голубок, Н. Н. Леденцов. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков. ФТП, т. 31, вьп. 1. 8, с. 902-907 (1997)
  40. G. E. Cirlin, V. N. Petrov, V. G. Dubrovskii, A. O. Golubok, S. Ya. Tipissev, G.M.Giiryanov, M.V.Maximov, N.N.Ledentsov, D.Bimbcrg. Direct formation of InGaAs/GaAs quantum dots during submonolayer epitaxies from molecular beams, Czech. J. Phys., V.47(4) p.379-384 (1997).
  41. G.li.C'irlin, V.N.Petrov, A.O.Golubok, S.Ya.Tipissev, V.G.Dubrovskii, G.M.Guryanov, N.N.Ledenlsov, D.Bimberg, Effect of growth kinetics on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces, Surface Science, v.377-379,p.895-898(1997).
  42. А.О.Голубок, И.Д.Сапожников, А.М.Соловьев, С.Я.Типисев. Комбинированные методики сканирующей туннельной и силовой микроскопии. Микроэлектроника, т. 26, вып.4, с. 291-296 (1997).
  43. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.Н.Леденцов. Самоорганизация квантовых точек в многослойных структурах InAs/GaAs и InGaAs/GaAs при субмонослойной миграционно-стимулированной эпитаксии. Письма в л. 1 ',.' т.23, выи22,с.80-84(1997).
  44. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, В.Г.Дубровский, С.А.Масалов, А.О.Голубок, Н.И.Комяк, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Получение InAs квантовых точек на кремнии. Письма в ЖТФ,т.24,вьш.8,с.10-15(1998).
  45. А.О.Голубок, С.А.Масалов, Н.Б.Пономарева, В.Н.Петров, С.Я.Типисев, Г.Э.Цырлин. Исследование квантовых точек на поверхности эпитаксиальных полупроводников А В методом сканирующей туннельной микроскопии. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, вьш.2,с.70-75(1998).
  46. А.О.Голубок, С.Я.Типисев, М.Л.Фельштын, С.А.Масалов, И.Д.Сапожников, А.М.Соловьев, В.В.Розанов, С.М.Войтенко, Д.В.Курочкин, В.В.Куняев. Отчет о научно-исследовательской работе "Совмещенный СЭМ-СТМ-МАС для диагностики и формирования микро и наноструктур" (1997), N гос. регистрации 01.9.70 000023, N инвентарный 029.80 000109.
  47. В.И. Иванов-Омский, А.О.Голубок, С.Г.Ястребов, С.А.Масалов, В.В.Розанов. Исследование поверхности пленок алмазоподобного углерода, легированного медью. Письма в ЖТФ, т. 24, N20 (1998).
  48. G.E.Girlin, V.G.Dubrovskii, V.N. Petrov, N.K. Polyakov, N.P.Komeeva, V.N.Demidov, A.O.Golubok, S.A.Masalov, D.V.Kurochkin, O.M.Gorbenko, N.l.Komyak, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.R.Kovsh, M.V.Maximov, A.F.Tsatsul'nikov, B.V.Volovik, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.AIferov, N.N.Ledentsov, M.Gmndmaiin and D.Bimbcrg. Formation of InAs quantum dots on a silicon (100) surface. Semiconductor Science Technology, p.1262-1265.