Физико-Технический Институт им. А.Ф.Иоффе РАН (ФТИ РАН).
Лаборатория
Спектроскопии твердого тела в Отделении Физики твердого тела
ФТИ.
Основные направления работ группы
Состав группы
Источник финансирования
работ
Основной рабочий инструмент
Основные публикации последних лет
Контактное
лицо
Адрес
Основные направления работ
группы:
Изучение процессов роста и свойств диэлектрических
слоев и
наноструктур на основе фторидов, а также
монокристаллических ферромагнитных
пленок.
Полупроводники. Поверхность и тонкие
пленки.
Микроструктуры.
Состав группы:
Соколов Николай Семенович - руководитель;
Гастев Сергей Викторович -
исследователь;
Яковлев Николай Леопольдович - исследователь;
Банщиков
Александр Гаврилович - исследователь;
Моисеева Марина Михайловна -
исследователь;
Хилько Андрей Юрьевич - исследователь;
Сутурин Сергей
Михайлович - исследователь;
Источник финансирования работ:
Работы проводятся при поддержке РФФИ, проект №98-02-18251, и программы мин.
науки "Физика твердотельных наноструктур", проект №97-2018.
Основной рабочий инструмент:
сканирующий зондовый микроскоп P4-SPM-MDT производства "НТ-МДТ" (Зеленоград).
http://www.ntmdt.ru
Основные
публикации последних лет:
1. N.S.Sokolov, J.C.Alvarez, S.V.Gastev,
Yu.V.Shusterman, Y.Itoh, J.Harada, R.M.Overney. High quality CaF2
layers on Si(111) with type A epitaxial relation at the interface // Journal of
Crystal Growth 1996, 169 (1), 40-50.
Abstract: The crystal perfection of
MBE-grown CaF2/Si(111) heterostructures with type-A of epitaxial
relations at the CaF2/Si(111) interface was investigated. A number of
research methods, including X-ray and electron diffraction, photoluminescence of
rare earth ions and atomic force microscopy, was applied. It was shown that the
two-step low temperature growth with an intermediate annealing at 850°C is an
efficient way to obtain type-A pseudomorphic sructures with a tickness of
CaF2 film up to 50 nm.
2. N.S.Sokolov, J.C.Alvarez,
Yu.V.Shusterman, N.L.Yakovlev, R.M.Overney, Y.Itoh, I.Takshashi, J.Harada
Structural transformations at CaF2/Si(111) interface // Applied
Surface Science, 1996, 104/105, p.402-408.
Abstract: Transformations of the
atomic structure of CaF2/Si(111) interface during annealing have been
studied by reflection high energy electron diffraction (RHEED) and X-ray crystal
trancation rod (CTR) scattering. The surface morphology after annealing has been
studied by atomic force microscopy (AFM). A conversion of epitaxial relation of
the film with respect to the substrate, from type-A (nonrotated) to type-B (with
the axes of the film rotated by 180° around the interface normal), was monitored
by RHEED during annealing of the films. On the basis of RHEED, CTR and AFM data,
a model of the conversion is suggested. In addition, a spontaneous transition of
type-B interface formed during the growth to the interface with another atomic
arrangment has been studied with CTR. The possible role of point defect motion
in CaF2 film during this transition is discussed.
3.
N.S.Sokolov, J.C.Alvarez, Yu.V.Shusterman, N.L.Yakovlev, R.M.Overney, Y.Itoh,
I.Takahashi, J.Harada Structural transformations at CaF2/Si(111)
interface // International Conference on the Formation of Semiconductor
Interfaces (ICFSI-5). 1995. 136, Princeton, USA, June 1995.
Abstract: As far
as each Si and CaF2 (111) surfaces are terminated by one kind of
atoms, the resulting interface structure could be expected relatively simple.
However different types of the interfaces were observed and one of the intrigue
problems is the existence of CaF2/Si(111) interfaces non-rotated
(type A) and rotated by 180° around the (111) plane normal (type B). Here we
demonstrate the first 'in stu' observation of type A to type B interface
conversion and study of the interface atomic arrangments.
Контактное лицо:Соколов Николай
Семенович
Тел.раб:(812)247-6411 Тел.дом: (812)552-1754 Факс:
(812)247-8640
е-mail: nsokolov@fl.ioffe.rssi.ru
Адрес: 194021 Санкт-Питербург,
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН (фТИ РАН), ул. Политехническая 26,
Соколов Н.С. |