Институт Кристаллографии РАН г. Москва

Группа сканирующей зондовой микроскопии.

Директор -  чл.-корр. РАН Ковальчук Михаил Валентинович.

koval@ns.crys.ras.ru
Тел.: ++7 (095) 135-6541

Рук. - к.ф.-м.н. Толстихина Алла Леонидовна
асп. Гайнутдинов Радмир Вильевич
снс, к.ф.м.-н. Губкин Михаил Константинович

Приборы: Solver P4 и P47 (NT-MDT)

Область интересов: исследование поверхности кристаллов и пленок методом АСМ.

Для связи с группой: тел.: (095)135-1100
E-mail: alla@ns.crys.ras.ru


Публикации Толстихиной А.Л. по АСМ 1997-1998 г.г. (только статьи, тезисы не указаны):

Толстихина А.Л. Исследование поверхности пленок SnO₂ методами ДЭВЭО и АСМ.//Известия РАН. Сер.физическая. 1997.Т.61. N10.С.1925-1930.
Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. Сканирующая зондовая микроскопия (туннельная и силовая) в задачах метрологии наноэлектроники.//Микроэлектроника. 1997. Т.26. N6. С.426-439.
Беляев В.В.,Толстихина А.Л.,Степина Н.Д.,Каюшина Р.Л. Строение упорядоченных полиэлектролитных пленок по данным атомно-силовой микроскопии и рентгеновской рефлектометрии.//Кристаллография.1998.Т.43. N1.С.134-138.
Степина Н.Д.,Толстихина А.Л.,Клечковская В.В.,Беляев В.В.,Фейгин Л.А.,Хрипунов А.К.,Лаврентьев В.К.,Баклагина Ю.Г.,Волков А.Я. Структура пленок Ленгмюра-Блоджетт на основе ацетовалератов целлюлозы. //Известия РАН. Сер.физическая. 1998.Т.62. N3.С.492-495.
Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. Феноменологическое описание характеристик поверхности, измеряемых методом атомно-силовой микроскопии. // Микроэлектроника. 1997. Т.26. N6. С.426-439.
Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. Конструктивные и электрофизические характеристики датчиков силы в атомно-силовой микроскопии.// Микроэлектроника. 1998. Т.27. N4. С.304-316.
Арутюнов П.А., Толстихина А.Л.,Демидов В.Н. Параметры шероховатости по данным измерений атомно-силового микроскопа.// Микроэлектроника. 1998. Т.27. N6. С.